VersaProbe 4 配置了新設計的能量分析器，能實現(xiàn)從微區(qū)到大面積的高靈敏度分析。同時還具備高精度的角度接受器、自動荷電中和技術以及多樣化的選配方案等特性，能夠提供良好的深度分辨率。所有的這些特性都與自動化技術相結合，使得 VersaProbe 4 能夠集高靈敏度、高可靠性和高可擴展性等優(yōu)勢于一體。

詳細介紹

關鍵技術

● 從小面積到大面積的高靈敏度分析

● 的深度剖析表現(xiàn)

● 自動電荷雙束中和技術

● 自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境

● 多樣化的配置

微聚焦的掃描X射線源

高靈敏度和低噪音能量分析器

● 作為一種重要的表面分析方法，廣泛應用于固體材料表面的元素組分和化學態(tài)的研究，例如電池材料、催化劑、集成電路、半導體、金屬、聚合物、陶瓷和玻璃等，可滿足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。

● 采用了新的高靈敏度分析器，靈敏度是上一代的 2 倍，具有更低的檢測限，能夠實現(xiàn)從微區(qū)(<10 µm)到大面積(>1 mm)的高靈敏度化學態(tài)分析。

● 微聚焦掃描 X 射線和 SXI 影像，通過類似 SEM 的 SXI 影像可以作為樣品導航，實現(xiàn)精準地定義微區(qū)分析位置。

*SXI : 掃描X射線激發(fā)的二次電子影像

的深度剖析表現(xiàn)

使用微區(qū)XPS分析技術進行準確的深度剖析

● VersaProbe 4 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了深度分析的性能。樣品傾斜和樣品旋轉相結合，可同時實現(xiàn)高深度分辨率和高能量精度。

在不同起飛角（TOA）下獲得的 10 nm SiO2/ Si 薄膜的深度剖析結果

自動電荷雙束中和技術

無需參數(shù)調整即可滿足任何絕緣樣品微區(qū)分析的荷電中和需求

● VersaProbe 4 配備了自動中和技術，無需分別對每個待測樣品進行中和參數(shù)調整。自動中和采用低能量電子束和低能量離子束的雙束同時中和的技術，實現(xiàn)了簡單可靠的高效中和。

● 該技術適用于中和各種材料，配合操作軟件所提供的圖像配準功能，可為微區(qū)分析帶來出色的自動化操作體驗。對于無機/有機混合材料以及從微區(qū)到大面積的所有分析尺寸，均可進行可靠且自動化的檢測分析。

微區(qū)特征的圖像配準功能

自動化和遠程控制，提供靈活的工作環(huán)境

遠程訪問實現(xiàn)對儀器的遠程控制

● VersaProbe 4 允許通過公司的局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。一旦樣品被引入分析室，就可以使用 Intro 照片和 SXI 導航樣品，創(chuàng)建采集任務的自動隊列，并可遠程檢查測量狀態(tài)和分析數(shù)據(jù)。我們的專業(yè)人員可對儀器進行遠程診斷。